3.7　場(chǎng)效應(yīng)晶體管

場(chǎng)效應(yīng)管（Field Effect Transistor）是一種利用電場(chǎng)效應(yīng)來控制多數(shù)載流子運(yùn)動(dòng)的半導(dǎo)體器件，縮寫為FET。

3.7.1　場(chǎng)效應(yīng)管的特點(diǎn)

（1）電場(chǎng)控制型。其工作原理類似于電子管，它是通過電場(chǎng)作用控制半導(dǎo)體中的多數(shù)載流子運(yùn)動(dòng)，達(dá)到控制其導(dǎo)電能力，故稱之為“場(chǎng)效應(yīng)”。

（2）單極型導(dǎo)電方式。在場(chǎng)效應(yīng)管中，參與導(dǎo)電的多數(shù)載流子僅為電子（N溝道）或空穴（P溝道）一種，在場(chǎng)作用下的漂移運(yùn)動(dòng)形成電流，故也稱為單極型晶體管。而不像晶體管，參與導(dǎo)電的同時(shí)有電子與空穴的擴(kuò)散和復(fù)合運(yùn)動(dòng)，屬于雙極型晶體管。

（3）輸入阻抗很高。場(chǎng)效應(yīng)管輸入端的PN結(jié)為反向偏置（結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管）或絕緣層隔離（MOS場(chǎng)效應(yīng)管），因此其輸入阻抗遠(yuǎn)遠(yuǎn)超過晶體三極管。通常，結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管的輸入阻抗為10⁷Ω～10¹⁰Ω，尤其是絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管，輸入阻抗可達(dá)10¹²～10¹³Ω。而普通的晶體三極管的輸入阻抗為1kΩ左右。

（4）抗輻射能力強(qiáng)。它比晶體三極管的抗輻射能力強(qiáng)千倍以上，所以效應(yīng)管能在核輻射和宇宙射線下正常工作。

（5）噪聲低、熱穩(wěn)定性好。

（6）便于集成。場(chǎng)效應(yīng)管在集成電路中占有的體積比晶體三極管小，制造簡(jiǎn)單，特別適于大規(guī)模集成電路。

（7）容易產(chǎn)生靜電擊穿損壞。由于輸入阻抗相當(dāng)高，當(dāng)帶電荷物體一旦靠近金屬柵極時(shí)很容易造成柵極靜電擊穿，特別是MOSFET，其絕緣層很薄，更易擊穿損壞。故要注意柵極保護(hù)，應(yīng)用時(shí)不得讓柵極“懸空”，貯存時(shí)應(yīng)將場(chǎng)效應(yīng)管的三個(gè)電極短路，并放在屏蔽的金屬盒內(nèi)，焊接時(shí)電烙鐵外殼應(yīng)接地，或斷開電烙鐵電源利用其余熱進(jìn)行焊接，防止電烙鐵的微小漏電損壞場(chǎng)效應(yīng)管。

3.7.2　場(chǎng)效應(yīng)管的檢測(cè)

1.結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管柵極判別

根據(jù)PN單向?qū)щ娫?，用萬用表R×1k擋，將黑表筆接在管子一個(gè)極，紅表筆分別接觸另外兩個(gè)電極，若測(cè)得電阻都很小，則黑表筆所接的是柵極，且管子為N型溝道場(chǎng)效應(yīng)管。對(duì)于P型溝道場(chǎng)效應(yīng)管柵極的判斷法，可自行分析。

2.結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管好壞及性能判別

根據(jù)判別柵極的方法，能粗略判別管子的好壞。當(dāng)柵源間、柵漏間反向電阻很小時(shí)，說明管子已損壞。若要判別管子的放大性能可將萬用表的紅、黑表筆分別接觸源極和漏極，然后用手碰觸柵極，表針應(yīng)偏轉(zhuǎn)較大，說明管子放大性能較好，若表指針不動(dòng)，說明管子性能差或已損壞。