（一）聲強(qiáng)度對(duì)誘發(fā)電位的影響

1.聲強(qiáng)度　改變短聲刺激的強(qiáng)度，會(huì)使耳蝸電圖及腦干電反應(yīng)的潛伏期、振幅以及波形發(fā)生變化。各波的潛伏期隨聲強(qiáng)增高而縮短。例如波Ⅴ潛伏期到80dB nHL時(shí)為5.6ms左右，而在10dBnHL則為8.2ms左右。潛伏期標(biāo)準(zhǔn)差在聲強(qiáng)減小時(shí)稍有增大。在70dB時(shí)波Ⅴ潛伏期標(biāo)準(zhǔn)差為0.2～0.25ms，而在30dB時(shí)潛伏期的標(biāo)準(zhǔn)差為0.3ms。

2.聲強(qiáng)－潛伏期的函數(shù)關(guān)系　二者呈一線性回歸線。如閾值強(qiáng)度時(shí)潛伏期為8.28ms，聲強(qiáng)—潛伏期函數(shù)曲線的斜率為－38μs/dB。正常斜率范圍在20～50μs/dB。然而也可見(jiàn)到在高強(qiáng)度時(shí)斜率僅為10μs/dB，而低強(qiáng)度時(shí)斜率達(dá)60μs/dB的情況。這一關(guān)系并不完全是線性的。

除波Ⅰ外，其他波和波Ⅴ的斜率類似，強(qiáng)度減弱時(shí)，波Ⅰ的潛伏期變動(dòng)較大，特別是在中等強(qiáng)度范圍內(nèi)，因此波Ⅰ～Ⅴ的峰間潛伏期在不同刺激級(jí)時(shí)可不相同。在70dB（SL）時(shí)為4.02ms左右，而在30dB（SL）時(shí)減到3.68ms。

3.腦干反應(yīng)振幅和聲強(qiáng)的關(guān)系　研究較少。它們之間的關(guān)系也受到所用的濾波帶通的影響。例如用100Hz以下截止頻率的高通濾波時(shí)波Ⅴ和后面的顱頂負(fù)波間的振幅于70dBnHL時(shí)約為0.6μV，到20dB nHL時(shí)則減至0.3μV。聲強(qiáng)低于20dB時(shí)振幅減小較快，高于70dB nHL時(shí)振幅增加較慢。如果用截止頻率在100Hz以上的高通濾波，則波Ⅴ的振幅較小，而且在較弱的聲強(qiáng)時(shí)即已達(dá)到最大值。

腦干反應(yīng)前幾個(gè)波的振幅比波Ⅴ的振幅減小得快些。在30dB nHL時(shí)，對(duì)于每秒10次刺激速率的短聲，波Ⅴ振幅約為70dB nHL時(shí)的60%；而波Ⅰ和波Ⅲ則降到30%左右。通常于聽(tīng)閾20dB nHL時(shí)可清晰辨認(rèn)波Ⅴ，而前幾個(gè)波則在50dB nHL以下時(shí)難以辨認(rèn)。

4.聽(tīng)閾測(cè)試　鑒于聲強(qiáng)對(duì)反應(yīng)振幅和辨認(rèn)率的影響，在測(cè)試之前應(yīng)先測(cè)受試者兩耳的主觀聽(tīng)閾。盡可能用受試耳閾上60～70dB的短聲測(cè)試。低于60dB SL時(shí)有些受試者的波Ⅰ～波Ⅲ的峰間潛伏期可縮短。如果對(duì)受試者的聽(tīng)閾不清楚可先從70dBnHL開(kāi)始，逐漸增加到80或90dBnHL，一直到得出可靠的可重復(fù)的結(jié)果。應(yīng)該記住多數(shù)市售的電反應(yīng)測(cè)聽(tīng)儀不可能發(fā)出＞95～100dBnHL的聲強(qiáng)，而且耳機(jī)在這樣的高聲強(qiáng)級(jí)也不會(huì)呈線性響應(yīng)。這就是說(shuō)，當(dāng)聽(tīng)力損失超過(guò)20dB時(shí)，就只可能用低于最適宜的聲級(jí)（70dBnHL）的刺激來(lái)測(cè)試。目前還沒(méi)有一種滿意的方法可以將正常對(duì)照值用在這些受試者。可以用的一種辦法是測(cè)得一組傳導(dǎo)性聾和一組感音性聾患者在不同聲強(qiáng)級(jí)時(shí)的標(biāo)準(zhǔn)值；另一種辦法是以波Ⅰ為基準(zhǔn)，得出與Ⅰ波相對(duì)照的峰間潛伏期值。

5.V波的振幅、潛伏期與聲音強(qiáng)度間的關(guān)系　比較復(fù)雜。從剛可檢出的大約聽(tīng)閾上5dB到反應(yīng)清楚的聽(tīng)閾上20dB，其振幅增加迅速而明顯，從20～80dB反應(yīng)振幅增加比較慢，80dB只是20dB的反應(yīng)振幅的2倍稍多一些。高于80dB，這種關(guān)系可有不同表現(xiàn)，有些人的反應(yīng)振幅隨聲級(jí)之增加而很快增高，有些個(gè)體是慢慢增高，另一些人則“飽和”在一恒定水平，甚至當(dāng)聲音強(qiáng)度高至100或110dB時(shí)反應(yīng)振幅卻稍稍降低。

一般來(lái)說(shuō)，聲強(qiáng)上升，誘發(fā)電位幅度增高，潛伏期縮短，但有的電位（如CM）出現(xiàn)非線性。

（二）聲極性（polarity）或相位（phase）的影響

1.極性（polarity）或相位（phase）　在改變短聲相位時(shí)，反應(yīng)波的潛伏期和振幅可有相當(dāng)顯著的變化。這可見(jiàn)于正常成人，而在嬰兒則更常見(jiàn)且較明顯，高頻聽(tīng)力損失者也明顯。在腦干反應(yīng)疏相短聲引出的波Ⅰ振幅常常＞密相短聲引出的波Ⅰ振幅，潛伏期一般較短（較正常成人短0.04或0.07ms）。在高頻聽(tīng)力損失時(shí)，密相和疏相的波Ⅰ潛伏期相差較大，有時(shí)可達(dá)1.0ms。增加刺激重復(fù)率時(shí)，密相短聲比疏相短聲的反應(yīng)波Ⅰ潛伏期延長(zhǎng)明顯。波Ⅲ和波Ⅴ短聲的極性影響不明顯。因此疏相短聲的波Ⅰ較大，有的作者認(rèn)為V峰間潛伏期較密相短聲引出的波Ⅰ～Ⅴ峰間潛伏期長(zhǎng)。

2.聲信號(hào)的相位對(duì)ABR各波的形態(tài)及潛伏期的影響　文獻(xiàn)報(bào)道各論不一，差異較大。有的認(rèn)為相位的影響使反應(yīng)均值基本沒(méi)有差異；而有的作者發(fā)現(xiàn)在組內(nèi)就有較大的個(gè)體差異。Ornitz等以動(dòng)物實(shí)驗(yàn)證明短聲極性（或相位）涉及到的ABR潛伏期變化可能依賴于聲刺激的頻率成分。如頻率主要集中在4 000Hz或4 000Hz以上，觀察反相極性短聲的差分式ABR可能性減小。但低頻成分聲信號(hào)對(duì)差分式ABR的出現(xiàn)可能有高的概率。

不宜常規(guī)地用相位交替短聲，因?yàn)榻惶娑搪晻?huì)使反應(yīng)峰模糊失真，從而對(duì)原有的耳蝸病變?cè)跈z查中漏診（Stockard，1974）。有時(shí)用交替短聲有助于區(qū)別波Ⅰ及CM。如用兩種短聲，就必須對(duì)它們的各種重復(fù)率和強(qiáng)度引出的反應(yīng)都得出正常值。必須校準(zhǔn)耳機(jī)發(fā)出的電信號(hào)是否極性相同，引起的聲刺激是否相位相同，并校準(zhǔn)某一已知的電極性引起的聲刺激的類型。最簡(jiǎn)單的辦法是與一組定標(biāo)過(guò)的耳機(jī)相比較。

（三）聲信號(hào)包絡(luò)（即上升、下降、持續(xù)時(shí)間）的影響

1.給聲反應(yīng)　Hecox觀察到聲信號(hào)上升時(shí)間從0增中到10ms，ABR波Ⅴ潛伏期增加到2ms以上；持續(xù)時(shí)間從0.5增加到30ms時(shí)，波Ⅴ潛伏期增加約0.5ms；而聲信號(hào)的下降時(shí)間對(duì)波Ⅴ潛伏影響最小，進(jìn)一步證明ABR是一種給聲反應(yīng)。用80dB的短純音，在0～10ms范圍內(nèi)改變上升時(shí)間，可見(jiàn)到隨上升時(shí)間增加CAP的N1振幅逐漸減低，潛伏期逐漸延長(zhǎng)。當(dāng)上升時(shí)間為零時(shí)，改變短純音的持續(xù)時(shí)間對(duì)CAP幾乎沒(méi)有影響，CAP與聲刺激的開(kāi)始點(diǎn)關(guān)系密切。這些結(jié)果提示，當(dāng)測(cè)試ECochG的CAP時(shí)，特別是應(yīng)用鼓室外描記法（ET法）的情況下，選用上升時(shí)間為零的一段純音比較有利，然而，這樣做的結(jié)果不利于對(duì)頻率因素的分析，很可能都是對(duì)開(kāi)始瞬時(shí)聲的反應(yīng)。

2.皮質(zhì)慢反應(yīng)　是一種給聲反應(yīng)，大部分聽(tīng)覺(jué)誘發(fā)電位均屬此種。它出現(xiàn)于對(duì)短聲或短音（tone pips）的反應(yīng)中，也在連續(xù)純音給聲時(shí)出現(xiàn)。純音上升時(shí)間不超過(guò)20ms為宜，20ms與3ms的上升時(shí)間所引出的N90～P180之振幅并無(wú)差別。持續(xù)時(shí)間30ms的純音與更長(zhǎng)者的比較效果相同。在連續(xù)給聲的情況突然改變其強(qiáng)度或頻率也可誘發(fā)出VP，這與安靜時(shí)給聲的效果一樣，其增量與減量的有效值取決于變化速率。

3.撤聲反應(yīng)　在一個(gè)持續(xù)時(shí)間較長(zhǎng)的短純音（tone burst）終止時(shí)可出現(xiàn)——誘發(fā)電位—撤聲反應(yīng)，它不如給聲反應(yīng)可靠，且振幅只為后者的1/3左右。聲音持續(xù)數(shù)秒者比僅為1～2s者的誘發(fā)電位振幅稍大。奇怪的是，撤聲反應(yīng)的潛伏期從聲強(qiáng)度開(kāi)始減弱點(diǎn)測(cè)量約為15ms，比給聲反應(yīng)的潛伏期短。撤聲反應(yīng)有時(shí)會(huì)對(duì)給聲反應(yīng)造成干擾，如用時(shí)程約75ms的短純音作為刺激，其撤聲反應(yīng)的N1波將重疊在給聲反應(yīng)的P2波上，從而使幅度降低。因此選用短純音的時(shí)程以短至40ms以內(nèi)或長(zhǎng)至等于或＞150ms為合適。

（四）聲信號(hào)頻率的影響

因?yàn)锳BR是一給聲反應(yīng)，依賴于神經(jīng)發(fā)放的同步化程度，所以上升時(shí)間短的刺激是理想的聲刺激信號(hào)。上升時(shí)間越短反應(yīng)的同步化越好，但頻率特性越差。較高頻率的短音可引起較佳的同步化反應(yīng)又可保留較好的頻率特性。用短聲或是用高頻的短音都可引出清晰的可識(shí)別的ABR波形，而且隨著短音頻率的增高波形的清晰度逐漸增加。但當(dāng)用短音作為刺激時(shí)ABR的波Ⅴ潛伏期與刺激聲的頻率呈反比，即頻率高波Ⅴ潛伏期較短，而頻率低時(shí)V潛伏期較長(zhǎng)。低頻（250、500、1 000Hz）的短音對(duì)ABR的形態(tài)和振幅影響較大，且這種信號(hào)引起的ABR振幅遠(yuǎn)遠(yuǎn)＜由短聲引導(dǎo)的反應(yīng)，反應(yīng)各波波界分化不清，這與神經(jīng)元群的同步程度有關(guān)。

當(dāng)用不同頻率（0.5、1、2、4、8kHz）的短純音與4kHz的一個(gè)正弦波產(chǎn)生的短聲引導(dǎo)＜AP時(shí)，發(fā)現(xiàn)以4kHz的短純音及短聲誘發(fā)出的＜AP振幅最高，波形最穩(wěn)定，－SP/AP比值變異最小。如在80～90dB聲音作用下，4kHz短純音的AP振幅為28～38mV，2kHz者為18～28mV，1kHz為16～22mV，短聲引出者AP振幅最高，可達(dá)53mV。各種聲音刺激所得到的－SP/AP比值列于表3－3。

純音頻率與N90～P180的振幅關(guān)系較簡(jiǎn)單。全部可聞聲頻均可誘發(fā)出顱頂電位（VP），但以中頻（1 000Hz與2 000Hz）反應(yīng)最大，頻率或高或低均可使反應(yīng)明顯減小，對(duì)中頻或高頻的反應(yīng)波形比對(duì)250Hz與500Hz的反應(yīng)波形傾向于陡峭些。

表3－3　短聲與各個(gè)頻率短純音在不同強(qiáng)度時(shí)所得到的－SP/AP正常值（kHz）

（五）電聲換能器（耳機(jī)、揚(yáng)聲器）的影響

在耳蝸電圖中，CM和SP是與耳蝸分隔的運(yùn)動(dòng)同時(shí)發(fā)生的。第1個(gè)聲波到達(dá)鼓膜后只幾分之一毫秒CM和SP即發(fā)生。因此ECochG的潛伏期極短。用一般耳機(jī)時(shí)，如聲刺激為高強(qiáng)度的，電偽跡就會(huì)成為一個(gè)很麻煩的問(wèn)題。這可以在測(cè)試時(shí)把揚(yáng)聲器放在距受試耳1m以外處給聲，通過(guò)聲波延遲到達(dá)鼓膜的辦法來(lái)解決。用高導(dǎo)磁合金（mumetal）屏蔽的電磁耳機(jī)可減少電偽跡，然而屏蔽會(huì)改變耳機(jī)的聲學(xué)特性。

由不同換能器發(fā)出的短聲聲學(xué)特性不同，這可使記錄的反應(yīng)發(fā)生明顯的變化，特別是在低強(qiáng)度時(shí)更明顯（圖3－25）。Coats和Kidder（1980）指出即使耳機(jī)相同，如耳墊不同或有無(wú)屏蔽也會(huì)使波形明顯改變。由于揚(yáng)聲器的不同頻率特性和測(cè)試時(shí)沒(méi)有耳機(jī)遮耳，使得出的波形與用耳機(jī)得出的不同。配助聽(tīng)器宜用自由聲場(chǎng)－揚(yáng)聲器給聲法。

Starr和Brackman（1979）報(bào)道經(jīng)電子耳蝸給電刺激，引出的腦干反應(yīng)早1.5～2.6ms。

經(jīng)耳機(jī)給短聲時(shí)，比給通常的持續(xù)純音的耳間傳遞時(shí)間要少，耳間衰減平均約65dB。短聲的耳間衰減比低頻純音的大而和高頻純音的耳衰減略相等。在雙側(cè)傳音性聽(tīng)力減退時(shí)這會(huì)引起測(cè)試和分析的困難，這時(shí)可用ECochG作進(jìn)一步的檢查。

Jerger和Haycs（1976）等用骨導(dǎo)短聲刺激測(cè)試腦干誘發(fā)電位。骨導(dǎo)引出的波Ⅴ的潛伏期比相同感覺(jué)級(jí)的氣導(dǎo)短聲的反應(yīng)平均遲0.36ms和0.46ms。這可能與骨導(dǎo)耳機(jī)不能象氣導(dǎo)耳機(jī)通過(guò)那樣大的高頻能量有關(guān)。另一種了解骨導(dǎo)聽(tīng)閾的方法是測(cè)試氣導(dǎo)反應(yīng)的同時(shí)，經(jīng)骨導(dǎo)耳機(jī)加掩蔽噪聲。

圖3－25　兩種不同耳機(jī)的ABR

a.短聲波形；b.短聲聲譜；c.聽(tīng)性腦干反應(yīng)

（六）給聲刺激的速率（stimulation rate）

在電反應(yīng)測(cè)聽(tīng)中要平均成百上千次聲刺激引出的反應(yīng)。這種聲刺激應(yīng)該以怎樣的重復(fù)率（repeat tate）送給受試耳呢？或者說(shuō)“刺激間隔”（interstimulus interval，ISI）是多少呢？ISI太長(zhǎng)或刺激率太慢，會(huì)增加測(cè)試時(shí)間，而受試者難以長(zhǎng)時(shí)間地控制自己；ISI太短（或刺激率太快）反應(yīng)又會(huì)減弱，潛伏期會(huì)延長(zhǎng)。

例如對(duì)腦干誘發(fā)電位來(lái)說(shuō)，波Ⅴ的峰潛伏期在10次/s和100次/s間，以平均每次5.1μs的遞減率隨刺激率的加快而延長(zhǎng)。然而這一關(guān)系不完全是線性的，在較快的重復(fù)率時(shí)影響較顯著，至刺激減到10次/s以下后，潛伏期就不再有明顯的改變。將短聲重復(fù)率從10次/s增加到80次/s，波Ⅰ波Ⅲ及波Ⅴ的潛伏期分別增加0.14、0.23和0.39ms；疏相短聲70dBSL誘發(fā)的波Ⅰ～Ⅴ峰間潛伏期從3.96（±0.22）ms增加到4.41（±0.31）ms，密相短聲的這一效應(yīng)不那么明顯。在刺激率增快時(shí)，波Ⅴ的振幅相對(duì)穩(wěn)定，直至刺激間隔（ISI）減至約30ms時(shí)才開(kāi)始改變。ISI為20ms時(shí)波Ⅴ振幅約為100ms（ISI）的90%，10ms時(shí)約為80%。從每秒刺激10次增加到80次，波Ⅴ振幅約減小10%，而波Ⅰ及波Ⅲ則減小約50%。

在耳蝸電圖，刺激率的變化對(duì)耳蝸神經(jīng)的動(dòng)作電位影響不大。Eggermost報(bào)道如用頻率較高、聲強(qiáng)較大的短純音，刺激率超過(guò)100次/s時(shí)，CAP潛伏期最多只增加0.8ms。用短聲時(shí)改變刺激率則對(duì)CAP影響很?。?00次/s時(shí)只增加0.1ms）。

在刺激重復(fù)率加快時(shí)，CAP振幅度隨之減小。重復(fù)率為40/s的短聲引出的CAP只有重復(fù)率為10次/s的短聲引出的CAP的53%。與此不同的是，CM與SP不受刺激重復(fù)率的影響。早在1949年Davis等已發(fā)現(xiàn)刺激間隔長(zhǎng)至7s時(shí)，顱頂電位（VP）的振幅最高。但間隔時(shí)間過(guò)長(zhǎng)則使試驗(yàn)時(shí)間過(guò)長(zhǎng)，勢(shì)必影響受試者狀態(tài)。應(yīng)以收集時(shí)間在1min以內(nèi)，能獲取最高振幅的刺激間隔為適宜。實(shí)驗(yàn)證明是1～2s，過(guò)長(zhǎng)或過(guò)短均不甚理想。有人發(fā)現(xiàn)令刺激間隔不規(guī)則出現(xiàn)，即在一定范圍內(nèi)（0.5～4s）隨機(jī)改變，可使誘發(fā)電位振幅稍稍增高（10%）。

（七）單耳給聲與雙耳給聲

雙耳聽(tīng)力正常者，雙耳給聲時(shí)比單耳給聲時(shí)ABR振幅大，Davis報(bào)道波Ⅴ振幅雙耳給聲比單耳給聲高約25%，個(gè)別的達(dá)75%。ECochG是單側(cè)特性，故雙耳給聲時(shí)其振幅未必有增大現(xiàn)象。當(dāng)同時(shí)給兩種聲音刺激時(shí)，N90～P180波幅比單耳刺激時(shí)只高20%左右，同側(cè)與對(duì)側(cè)刺激的反應(yīng)潛伏期并無(wú)差別，兩側(cè)正中神經(jīng)電刺激在一側(cè)驅(qū)體感覺(jué)手區(qū)記錄的N1或P2波峰潛伏期也證明了這點(diǎn)。

疏波誘發(fā)的波Ⅰ振幅＞密相波引起的波Ⅰ振幅，且潛伏期短，高頻聽(tīng)力損失時(shí)，上述兩者差異更大，用交替短聲可使CM消失，以區(qū)別Ⅰ波。