合成原理及方法
合成原理及方法
一、合成原理及方法
焰熔法是從熔體中生長單晶體的方法。其原料的粉末在通過高溫的氫氧火焰后熔化,熔滴在下落過程中冷卻并在籽晶上固結(jié)逐漸生長形成晶體。
圖10-2-1 維爾納葉法合成裝置
焰熔法合成裝置由供料系統(tǒng)、燃燒系統(tǒng)和生長系統(tǒng)組成,合成過程是在維爾納葉爐(圖10-2-1)中進(jìn)行的。
1.供料系統(tǒng)
原料:成分因合成品的不同而變化。原料的粉末經(jīng)過充分拌勻,放入料筒。料筒(篩狀底):圓筒,用來裝原料,底部有篩孔;料筒中部貫通有一根震動(dòng)裝置使粉末少量、等量、周期性地自動(dòng)釋放。振蕩器:使料筒不斷抖動(dòng),以便原料的粉末能從篩孔中釋放出來。如果合成紅寶石,則需要Al2O3和Cr2O3,三氧化二鋁可由鋁銨礬加熱獲得;Cr2O3(1%~3%)為致色劑。
2.燃燒系統(tǒng)
氧氣管:從料筒一側(cè)釋放,與原料粉末一同下降;氫氣管:在火焰上方噴嘴處與氧氣混合燃燒。通過控制管內(nèi)流量來控制氫氧比例(O2∶H2=1∶3);氫氧燃燒溫度為2 500℃,Al2O3粉末的熔點(diǎn)為2 050℃。冷卻套:吹管至噴嘴處有一冷卻水套,使氫氣和氧氣處于正常供氣狀態(tài),保證火焰以上的氧管不被熔化。
3.生長系統(tǒng)
落下的粉末經(jīng)過氫氧火焰后熔融成熔滴,落在旋轉(zhuǎn)平臺(tái)上的籽晶棒上,冷卻結(jié)晶逐漸長成一個(gè)晶棒。長出的晶體形態(tài)類似梨形,故稱為梨晶。梨晶大小通常長23cm,直徑2.5~5cm。冷水套下為一耐火磚圍砌的保溫爐,保持燃燒溫度及晶體生長溫度,近上部有一個(gè)觀察孔,可了解晶體生長情況。耐火磚的作用是保證熔滴溫度緩慢下降,以便結(jié)晶生長。旋轉(zhuǎn)平臺(tái)用來安置籽晶棒,并控制其邊旋轉(zhuǎn)、邊下降;落下的熔滴與籽晶棒接觸,稱為接晶;接晶后通過控制旋轉(zhuǎn)平臺(tái)擴(kuò)大晶種的生長直徑,稱為擴(kuò)肩;然后,旋轉(zhuǎn)平臺(tái)以均勻的速度邊旋轉(zhuǎn)邊下降,使晶體得以等徑生長。生長速度為1cm/h,一般6h即可完成生長。因?yàn)樯L速度快,內(nèi)應(yīng)力很大,停止生長后,應(yīng)該輕輕敲擊,它便會(huì)沿縱向裂開成兩半以釋放內(nèi)應(yīng)力,避免以后產(chǎn)生裂隙。
焰熔法的特點(diǎn):晶體生長速度快、設(shè)備簡單、成本低。世界上每年用此法合成的寶石大于10億ct。但用此方法合成的寶石晶體缺陷多、容易識(shí)別。
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